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晶体管
SCTH90N65G2V-7参考图片

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SCTH90N65G2V-7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-7 package
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H2PAK-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V to 22 V
Qg-栅极电荷
157 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SCTH90N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
38 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
26 ns
商品其它信息
优势价格，SCTH90N65G2V-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STF10N62K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
1:¥14.6787
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
参考库存:2694
RM1505S-T
Rectron
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥3.7855
5,000:¥3.4465
10,000:¥3.1527
25,000:¥3.0962
参考库存:36661
RJK03M3DPA-00#J5A
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET BEAM2 Series FET, 30V, WPAK, 2.0mOhm
3,000:¥5.1076
6,000:¥4.859
参考库存:36664
JANTXV2N2906AUA/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥272.6238
250:¥254.4195
参考库存:36667
JANTXV2N5152
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥149.5329
250:¥137.2385
500:¥130.628
参考库存:36670
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