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晶体管

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GT30J121(Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/30A DIS
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
GT30J121
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
19 mm
长度
15.9 mm
宽度
4.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格，GT30J121(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS35R12KE3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 35A 3-PHASE
1:¥562.9321
5:¥552.6378
10:¥538.3433
25:¥527.7326
参考库存:42782
STD7NS20T4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 200 Volt 7 Amp
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.0681
500:¥5.3675
2,500:¥3.7629
10,000:查看
参考库存:5437
RJH1CM7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥53.788
10:¥47.9459
25:¥43.1886
50:¥41.2676
参考库存:42787
DTA144ECA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Sgle PNP, -100mA
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:42790
BC 846S H6727
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:42793
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