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晶体管

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GT30J121(Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/30A DIS
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
GT30J121
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
19 mm
长度
15.9 mm
宽度
4.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,GT30J121(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel UltraFET
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
800:¥6.5992
参考库存:5203
晶体管
IGBT 晶体管 600V, 40A Field Stop IGBT
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.2837
参考库存:3295
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
1:¥97.5868
10:¥89.7446
25:¥86.0608
100:¥75.8456
参考库存:2610
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 6PIN
1:¥3.1527
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
8,000:¥0.96841
24,000:查看
参考库存:13186
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:52219
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