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晶体管

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GT30J121(Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/30A DIS
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
GT30J121
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
19 mm
长度
15.9 mm
宽度
4.8 mm
商标
Toshiba
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
50
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,GT30J121(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - EMIPAK SWITCH
1:¥634.4724
5:¥614.7991
10:¥594.7416
25:¥574.9214
参考库存:2177
晶体管
MOSFET 40V 200A 375 AEC-Q101 Qualified
1:¥24.0464
10:¥21.5943
100:¥17.6732
250:¥14.2154
800:¥10.6785
2,400:查看
参考库存:2764
晶体管
MOSFET N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
参考库存:3167
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.695
10:¥1.12209
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:8044
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:11061
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