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晶体管

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APTGT150SK120G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥709.3914
70939.14
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
220 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
690 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT150SK120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:9992
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5088
500:¥5.7517
参考库存:6549
晶体管
MOSFET T8 80V SO8FL NCH S
1:¥11.1418
10:¥9.4468
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,500:¥4.5313
9,000:查看
参考库存:6995
晶体管
MOSFET 40V P-Chnl UMOS
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:4191
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 174A 74W 24.7mOhms
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
1,500:¥1.9888
参考库存:11665
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