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晶体管
STN1NK60Z参考图片

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STN1NK60Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
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库存：35,553(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1245
41.245
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
4,000
¥1.7967
7186.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.8 mm
长度
6.5 mm
系列
STN1NK60Z
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.5 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，STN1NK60Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM2301ACX RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 20V P Channel Mosfet
15,000:¥0.59212
24,000:¥0.5537
45,000:¥0.52206
参考库存:28138
APTGL475U120D4G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥1,252.0287
5:¥1,221.1458
10:¥1,191.7884
25:¥1,148.4529
参考库存:28141
2N5192 SL H
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
1,300:¥4.5539
2,600:¥4.0454
10,400:¥3.8872
参考库存:28144
AUIRLS3034
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
3,000:¥20.0575
参考库存:28147
APTGT100DU170TG
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥747.1899
参考库存:28150
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