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晶体管
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IPA65R065C7

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库存:4,913(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥56.2514
56.2514
10
¥50.7935
507.935
25
¥48.4883
1212.2075
100
¥42.1038
4210.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPA65R065C7XKSA1 SP001080114
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPA65R065C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:4602
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 65A
1:¥294.3763
5:¥287.8449
10:¥274.703
25:¥263.177
参考库存:4619
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
3,000:¥5.8421
参考库存:8105
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.0566
参考库存:6883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.39211
2,000:¥0.30736
参考库存:8655
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