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FS50R06W1E3

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数量单价合计
1
¥278.7032
278.7032
5
¥275.7765
1378.8825
10
¥257.0298
2570.298
25
¥245.5038
6137.595
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R06W1E3BOMA1 SP000092043
单位重量
24 g
商品其它信息
优势价格，FS50R06W1E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVMFS5C426NWFAFT3G
ON Semiconductor
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10,000:¥6.1359
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250:¥2,586.3553
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NVMFS5C450NLWFAFT3G
ON Semiconductor
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5,000:¥2.8928
10,000:¥2.7798
25,000:¥2.7007
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PXAD214218FV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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APTGT300A120D3G
Microsemi
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参考库存:27655
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