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晶体管
FGA6530WDF参考图片

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FGA6530WDF

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库存:4,838(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5097
24.5097
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.1308
4282.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
176 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA6530WDF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA6530WDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH DMOS 250V 225MA
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:4330
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 15A 14MOH
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
5,000:¥8.6106
10,000:查看
参考库存:12332
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.6159
10:¥1.4238
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:3495
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:22949
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN 65V 100mA 200mW 100MHz
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:10296
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