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晶体管
CSD86350Q5D参考图片

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CSD86350Q5D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Synch Buck NexFET Pwr Block MOSFET
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库存:4,430(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.8258
18.8258
10
¥15.9782
159.782
100
¥12.7577
1275.77
500
¥11.1418
5570.9
2,500
¥8.6106
21526.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
40 A
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC, 19.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
13 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
6 mm
系列
CSD86350Q5D
晶体管类型
2 N-Channel
类型
Synchronous Buck MOSFET Driver
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
103 S, 132 S
开发套件
CSD86350Q5DEVM-604, TPS53219EVM-690
下降时间
2.3 ns, 21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns, 23 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns, 24 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 9 ns
单位重量
170 mg
商品其它信息
优势价格,CSD86350Q5D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 150V P-Channel QFET
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4117
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥8.2942
10:¥7.0738
100:¥5.4353
500:¥4.7912
800:¥3.7855
参考库存:7822
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥91.3605
10:¥83.0663
25:¥76.84
参考库存:3512
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.7629
100:¥2.2939
1,000:¥1.7741
参考库存:6391
晶体管
IGBT 晶体管 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
1:¥47.7199
10:¥40.567
100:¥35.1204
250:¥33.3463
500:¥29.8885
参考库存:3950
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