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晶体管
TSM020N04LCR RLG参考图片

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TSM020N04LCR RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 40V, 170A, Single N- Channel Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥11.3678
113.678
100
¥8.9157
891.57
500
¥6.9608
3480.4
2,500
¥4.9833
12458.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PDFN56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
170 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W, 2.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
43 S
下降时间
31 nS
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8.8 nS
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 nS
典型接通延迟时间
7.6 nS
商品其它信息
优势价格,TSM020N04LCR RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 500V N-Channel UniFET-II
1,000:¥3.8646
2,000:¥3.4239
10,000:¥3.2996
25,000:¥3.1979
参考库存:33388
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.22K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:33391
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 150mA 20pF
1,000:¥9.2208
2,000:¥8.6106
5,000:¥8.2942
10,000:¥7.9891
参考库存:33394
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 20A 32W 1600pF 23nC
1:¥15.2098
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
3,000:¥6.6218
6,000:查看
参考库存:33397
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
4,800:¥7.9891
9,600:¥7.6388
参考库存:33400
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