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晶体管
STW58N60DM2AG参考图片

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STW58N60DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:4,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.1562
73.1562
10
¥66.1615
661.615
25
¥63.0879
1577.1975
100
¥54.7146
5471.46
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
360 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW58N60DM2AG
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
60 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW58N60DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
3,000:¥1.582
参考库存:19220
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH & SBD 20V 2.4A 8PIN
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05316
参考库存:19223
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:5226
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:19228
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NMB2227A/SC-74/REEL 11" Q3/T4
1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
10,000:¥0.3842
20,000:查看
参考库存:19231
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