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晶体管
AUIRGP4062D-E参考图片

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AUIRGP4062D-E

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Auto UltraFast Copack Trench IGBT
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库存:2,717(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥69.3142
69.3142
10
¥62.6246
626.246
25
¥59.7092
1492.73
100
¥51.867
5186.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
48 A
Pd-功率耗散
250 W
封装
Tube
商标
Infineon / IR
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001511902
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,AUIRGP4062D-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narrow leads package
1:¥18.984
10:¥16.1364
100:¥12.9046
500:¥11.30
参考库存:3584
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥45.7198
10:¥38.8833
100:¥33.6514
250:¥31.9677
参考库存:3485
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:11447
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:7521
晶体管
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.2939
参考库存:8645
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