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晶体管
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MJD112RLG

  • ON Semiconductor
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  • 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
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1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
1,800
¥1.4577
2623.86
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
20 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD112
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200, 500, 1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1800
子类别
Transistors
单位重量
351 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥1.6498
25,000:¥1.6046
参考库存:29539
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