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晶体管
MJD112RLG参考图片

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MJD112RLG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
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库存:16,547(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.616
36.16
100
¥2.2035
220.35
1,000
¥1.7063
1706.3
1,800
¥1.4577
2623.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
20 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD112
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
200, 500, 1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1800
子类别
Transistors
单位重量
351 mg
商品其它信息
优势价格,MJD112RLG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥120.9439
5:¥116.1866
10:¥111.8022
25:¥102.7396
参考库存:16862
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
参考库存:143665
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:5667
晶体管
MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS MAX
1:¥15.4471
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
4,800:¥6.8139
9,600:查看
参考库存:16869
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥3.2318
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:16872
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