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晶体管

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FQD4P40TM-AM002

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数量单价合计
1
¥13.447
13.447
10
¥11.4469
114.469
100
¥9.1417
914.17
500
¥7.9891
3994.55
2,500
¥6.1585
15396.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
2.7 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
商标名
QFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD4P40
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FQD4P40TM_AM002
单位重量
291.831 mg
商品其它信息
优势价格,FQD4P40TM-AM002的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
1:¥429.3774
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24,000:查看
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10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,000:¥17.289
2,000:查看
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1:¥3.2996
10:¥2.5086
100:¥1.8645
500:¥1.5368
3,000:¥1.08367
6,000:查看
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1:¥3.3787
10:¥2.8024
100:¥1.7063
1,000:¥1.3221
3,000:¥1.12209
参考库存:56398
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