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晶体管
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FGY75N60SMD

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库存:4,553(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7198
45.7198
10
¥41.3354
413.354
25
¥39.4144
985.36
100
¥34.1938
3419.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
Power-247
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
750 W
系列
FGY75N60SMD
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
7.629 g
商品其它信息
优势价格,FGY75N60SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:7974
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:13601
晶体管
JFET N-Ch -25V JFET 10mA 300mW 10mA 1.7mW
1:¥90.1288
10:¥73.9246
100:¥61.3138
500:¥55.935
参考库存:3807
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V Transistor
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:25465
晶体管
MOSFET 400V N-Channel Depletion-Mode FET
1:¥8.3733
10:¥7.3224
25:¥6.4749
50:¥6.2715
1,000:¥3.2544
2,000:查看
参考库存:4751
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