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晶体管
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FGY75N60SMD

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库存:4,553(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7198
45.7198
10
¥41.3354
413.354
25
¥39.4144
985.36
100
¥34.1938
3419.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
Power-247
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
750 W
系列
FGY75N60SMD
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
7.629 g
商品其它信息
优势价格,FGY75N60SMD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Ch SupreMOS FRFET MOSFET
1:¥52.8614
10:¥47.799
25:¥45.5616
100:¥39.4935
参考库存:2952
晶体管
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1:¥8.9157
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.198
参考库存:3340
晶体管
MOSFET Avalanche
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:4555
晶体管
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1:¥22.6678
10:¥18.7467
100:¥15.4471
250:¥14.9838
500:¥13.447
3,000:¥13.447
参考库存:4956
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
1:¥71.4612
10:¥64.6247
25:¥61.5511
100:¥53.4829
参考库存:3640
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