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晶体管
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FJN4301RTA

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库存:6,383(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.7628
1.7628
10
¥1.1639
11.639
100
¥0.48364
48.364
1,000
¥0.32996
329.96
2,000
¥0.26103
522.06
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
- 0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
300 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FJN4301R
封装
Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值
20
发射极 - 基极电压 VEBO
- 10 V
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
类型
PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格,FJN4301RTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:8365
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6668
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.9379
9,000:¥0.87575
参考库存:5623
晶体管
MOSFET CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA
1:¥4.0002
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5594
3,000:¥1.3334
参考库存:9607
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LESHAN DUAL COMPLMNT SOT-963
1:¥3.2996
10:¥2.1018
100:¥0.90626
1,000:¥0.69947
8,000:¥0.46895
24,000:查看
参考库存:17609
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
参考库存:44210
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