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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	22 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	60
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	187 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5312DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	60 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.200 mg

商品其它信息

优势价格，MUN5312DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BSC072N03LDGATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3	1:¥9.9892 10:¥8.5315 100:¥6.5766 500:¥5.8195 5,000:¥4.068 10,000:查看	参考库存:3098
ZXMHC10A07N8TC	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9	1:¥8.7575 10:¥7.5258 100:¥5.7856 500:¥5.1189 1,000:¥4.0341 2,500:¥4.0341	参考库存:12336
IPP410N30NAKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV POWER MOS	1:¥58.2402 10:¥52.6354 25:¥50.2511 100:¥43.5728	参考库存:3989
IRGP4640D-EPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC	1:¥45.7989 10:¥41.4145 25:¥39.4935 100:¥34.2729	参考库存:3433
STL150N3LLH6	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 30V 33A PWRFLT DEEPGATE	1:¥8.4524 10:¥7.2094 100:¥5.537 500:¥4.8929 3,000:¥3.4239 9,000:查看	参考库存:4454