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晶体管
MUN5312DW1T1G参考图片

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MUN5312DW1T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
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库存:25,517(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.1978
11.978
100
¥0.49946
49.946
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26894
806.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Dual
晶体管极性
NPN, PNP
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
0.1 A
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
187 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MUN5312DW1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 5 mA at 10 V
高度
0.9 mm
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
通道数量
2 Channel
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.200 mg
商品其它信息
优势价格,MUN5312DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 50V 3.5 OHM SOT23
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:208054
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥10,021.0886
参考库存:1659
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH Small Signal
1:¥43.6406
10:¥43.2564
25:¥39.4144
100:¥35.5724
参考库存:1921
晶体管
MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:5101
晶体管
MOSFET 300V N-Ch MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0625
500:¥6.2376
800:¥4.9268
参考库存:1928
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