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晶体管
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BU323ZG

  • ON Semiconductor
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  • 达林顿晶体管 10A 350V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥20.905
20.905
10
¥17.7523
177.523
100
¥14.2154
1421.54
500
¥12.4526
6226.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
350 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
10 A
最大集电极截止电流
100 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BU323Z
封装
Tube
高度
12.2 mm
长度
15.2 mm
宽度
4.9 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
150
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，BU323ZG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RMP2N60TI
Rectron
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MOSFET TO-220F MOSFET
3,000:¥1.7515
4,000:¥1.5933
10,000:¥1.4577
24,000:¥1.4351
参考库存:37845
JANTX2N2880
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,502.9113
5:¥1,482.1645
10:¥1,430.2975
25:¥1,378.5096
参考库存:37848
2N2812
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥730.9066
参考库存:37851
CMBT2907A-T
Rectron
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 0.6A 60V Gen Pur
9,000:¥0.29945
12,000:¥0.27685
参考库存:37854
TPCC8102(TE12L,Q)
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET -30V -15A
暂无价格
参考库存:37857
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