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晶体管
STB43N65M5参考图片

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STB43N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK package
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库存:4,869(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.7824
54.7824
10
¥49.5618
495.618
25
¥47.2566
1181.415
100
¥41.0303
4103.03
1,000
¥31.1202
31120.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
63 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB43N65M5
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
73 ns
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STB43N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4
1:¥812.0406
5:¥796.2884
10:¥770.0159
25:¥737.438
50:¥727.2906
参考库存:2958
晶体管
MOSFET 250V 6Ohm
1:¥5.0737
10:¥5.0624
25:¥4.2714
100:¥3.8759
2,000:¥3.8759
参考库存:14710
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:2828
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch+Pc Si MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:4875
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 5.1A DPAK-2
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9495
2,500:¥4.859
10,000:查看
参考库存:19626
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