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晶体管
PBSS4560PA,115参考图片

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PBSS4560PA,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 6A NPN LO VCEsat TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
3,000
¥1.1752
3525.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
440
高度
0.61 mm
长度
2.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.1 mm
商标
Nexperia
集电极连续电流
6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
Pd-功率耗散
2.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，PBSS4560PA,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF150R17ME3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 240A
1:¥911.4015
5:¥893.491
10:¥851.8505
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NVMFS5C426NAFT1G
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1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,500:¥6.2376
4,500:查看
参考库存:3087
IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
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MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.747
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SIRA58ADP-T1-RE3
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1:¥9.2208
10:¥7.6275
100:¥5.8421
500:¥5.0285
3,000:¥3.7064
6,000:查看
参考库存:7851
PSMN014-40YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 40V 32A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
1,500:¥1.5029
参考库存:4359
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