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晶体管
FDB9406-F085参考图片

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FDB9406-F085

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数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥13.8312
1383.12
500
¥12.1362
6068.1
800
¥10.0683
8054.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.83 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
107 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB9406_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
81 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
FDB9406_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB9406-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-363
1:¥2.9154
10:¥1.8758
100:¥0.80682
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.46895
参考库存:40951
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥41.6518
10:¥37.1883
25:¥33.5045
50:¥31.9677
参考库存:40954
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 49Watt Gain 15dB
1:¥571.5314
5:¥524.433
10:¥470.645
25:¥416.857
参考库存:40957
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥16.9839
10:¥15.2889
25:¥13.673
100:¥12.2944
参考库存:40960
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥380.2789
5:¥359.7694
10:¥355.6901
25:¥328.9543
参考库存:40963
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