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晶体管
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ZXTN07045EFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V HIGH GAIN
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
3,000
¥1.6046
4813.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
190 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN07045
直流电流增益 hFE 最大值
500
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 mA, 2 V, 400 at 1 A, 2 V, 250 at 2 A, 2 V, 70 at 4 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，ZXTN07045EFFTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHP30N60E-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1,000:¥25.4363
参考库存:29282
TIP32A SL
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 40W
1,400:¥4.5652
2,500:¥4.0454
10,000:¥3.8985
参考库存:29285
IRF40H233XTMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
4,000:¥4.4974
8,000:¥4.3392
参考库存:29288
IRG4IBC20FDPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
2,000:¥14.2154
参考库存:29291
GTVA263202FC-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,866.1385
参考库存:29294
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