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晶体管
ZXTN07045EFFTA参考图片

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ZXTN07045EFFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V HIGH GAIN
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
3,000
¥1.6046
4813.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
190 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN07045
直流电流增益 hFE 最大值
500
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
500 at 100 mA, 2 V, 400 at 1 A, 2 V, 250 at 2 A, 2 V, 70 at 4 A, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,ZXTN07045EFFTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:8198
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:4008
晶体管
MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
3,000:¥1.7741
9,000:查看
参考库存:7623
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
参考库存:3649
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
8,000:¥0.43053
24,000:查看
参考库存:50727
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