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晶体管
SSM6L36FE,LM参考图片

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SSM6L36FE,LM

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Small-signal MOSFET 2-in-1
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库存:34,902(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
4,000
¥0.5537
2214.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
500 mA, 330 mA
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms, 950 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, 8 V
Qg-栅极电荷
1.23 nC, 1.2 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6L36
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns, 200 ns
典型接通延迟时间
30 ns, 90 ns
商品其它信息
优势价格,SSM6L36FE,LM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET N-Channel Silicon JFET-Transistor
1:¥61.698
10:¥50.5562
100:¥41.9569
500:¥38.2618
参考库存:4572
晶体管
MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.7911
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.12209
参考库存:54215
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 100V 1A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:8864
晶体管
MOSFET N-CH 900V HEXFET MOSFET
1:¥19.0518
10:¥15.4471
100:¥13.8312
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:5753
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 NPN GP AMP
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.1978
4,000:¥1.02152
参考库存:16432
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