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晶体管
FGH75T65SQD-F155参考图片

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FGH75T65SQD-F155

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库存:1,665(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.5674
48.5674
10
¥41.2676
412.676
100
¥35.8097
3580.97
250
¥33.9678
8491.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH75T65SQD
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH75T65SQD_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH75T65SQD-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.379
10:¥9.2208
25:¥7.7631
100:¥7.119
2,000:¥4.859
4,000:查看
参考库存:6640
晶体管
MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET
1:¥5.2997
10:¥4.4522
100:¥2.8702
1,000:¥2.2939
参考库存:8327
晶体管
MOSFET 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:6639
晶体管
MOSFET SF2 600V 41MOHM E TO247
1:¥64.6247
10:¥58.3984
25:¥55.6299
100:¥48.3301
参考库存:5110
晶体管
MOSFET 40/20V Nch Power Trench
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4636
500:¥5.7065
2,500:¥4.0002
10,000:查看
参考库存:9904
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