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晶体管
IPZA60R099P7XKSA1参考图片

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IPZA60R099P7XKSA1

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数量单价合计
1
¥43.0304
43.0304
10
¥36.5781
365.781
100
¥31.6626
3166.26
250
¥30.0467
7511.675
500
¥26.9731
13486.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
117 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
Power MOSFET
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPZA60R099P7 SP001707742
商品其它信息
优势价格,IPZA60R099P7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 . .
160:¥50.1042
260:¥46.0249
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
参考库存:29156
晶体管
MOSFET T6 40V DPAK EXP
2,500:¥2.9945
10,000:¥2.8702
25,000:¥2.7911
参考库存:29159
晶体管
MOSFET MOSFET N-Channel 60V
800:¥10.8367
1,600:¥8.9157
参考库存:29162
晶体管
JFET N-Ch Matched -20V 10mA 480mW 3.8mW
40:¥161.2849
100:¥149.838
250:¥137.4645
500:¥130.854
参考库存:29165
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -30V -4.4A 700mW 130MHz
1,000:¥2.0905
2,000:¥1.7628
10,000:¥1.7063
25,000:¥1.6385
50,000:¥1.6159
参考库存:29168
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