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晶体管
FGH75T65SQDNL4参考图片

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FGH75T65SQDNL4

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V/75 FAST IGBT
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库存:2,316(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥57.7091
57.7091
10
¥52.1721
521.721
25
¥49.72
1243
100
¥43.1886
4318.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.43 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
200 A
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,FGH75T65SQDNL4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 100V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:5955
晶体管
MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3901
100:¥3.4804
1,000:¥2.7911
参考库存:3383
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 40V
1:¥2.9154
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
9,000:¥0.71416
参考库存:8478
晶体管
IGBT 模块 600V 200A DUAL
1:¥739.4268
5:¥725.8329
10:¥693.1759
25:¥670.1239
参考库存:3162
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.6894
10:¥2.0905
100:¥1.13
1,000:¥0.85315
4,000:¥0.72998
参考库存:14762
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