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晶体管
SP8K31FRATB参考图片

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SP8K31FRATB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch+Nch 60V Vds 3.5A 0.1Rds(on) 3.7Qg
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数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9776
39.776
100
¥2.5651
256.51
1,000
¥2.0566
2056.6
2,500
¥2.0566
5141.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SP8K31FRA
商品其它信息
优势价格，SP8K31FRATB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVD4C05NT4G
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
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1:¥8.7575
10:¥7.4354
100:¥5.7178
500:¥5.0511
2,500:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:7182
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