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晶体管
TK33S10N1Z,LQ参考图片

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TK33S10N1Z,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
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数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥9.831
98.31
100
¥7.5258
752.58
500
¥6.6444
3322.2
2,000
¥4.6556
9311.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
33 A
Rds On-漏源导通电阻
9.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK33S10N1Z
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK33S10N1Z,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SSM6P47NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.86106
参考库存:31757
CPC5601DTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET LITELINK Programmable Driver
1,000:¥17.5941
2,000:¥16.8257
参考库存:31760
APT30N60SC6
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
87:¥45.3356
174:¥40.8834
261:¥37.3465
522:¥34.0356
参考库存:31763
PD85006L-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:4010
A2G22S160-01SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 A2G22S160-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥864.9133
参考库存:31768
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