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晶体管
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FDB031N08

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库存:20,251(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.9567
37.9567
10
¥32.2728
322.728
100
¥27.9675
2796.75
250
¥26.5098
6627.45
500
¥23.8204
11910.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
235 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB031N08
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
121 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
191 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
335 ns
典型接通延迟时间
230 ns
单位重量
1.762 g
商品其它信息
优势价格,FDB031N08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥5.3675
参考库存:31193
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
5,000:¥6.3054
10,000:¥6.0568
参考库存:31196
晶体管
MOSFET -20V-3.1A95OHMpchPWR TRNCHmosfetSCHTKYdio
3,000:¥2.5877
9,000:¥2.486
24,000:¥2.4182
参考库存:31199
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.69156
9,000:¥0.63054
24,000:¥0.59212
45,000:¥0.52206
参考库存:31202
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 7Watt NF 1.3dB GaN
50:¥273.2453
100:¥241.5036
250:¥226.1356
参考库存:31205
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