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晶体管
IKP15N60T参考图片

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IKP15N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A
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库存:6,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.8202
19.8202
10
¥16.8257
168.257
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
26 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
15.95 mm
长度
10.36 mm
宽度
4.57 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP15N60TXKSA1 IKP15N6TXK SP000683064
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IKP15N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V P-CHANNEL
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:4904
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥18.7467
10:¥15.9104
100:¥12.7577
500:¥11.1418
参考库存:1966
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.4522
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,500:¥1.5029
参考库存:1159
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
5,000:¥2.1018
参考库存:6095
晶体管
MOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK
1:¥6.5314
10:¥5.5483
100:¥4.2601
500:¥3.7629
2,500:¥2.6329
10,000:查看
参考库存:3572
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