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晶体管
SPB20N60C3参考图片

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SPB20N60C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
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库存:5,813(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.1148
36.1148
10
¥30.736
307.36
100
¥26.5889
2658.89
250
¥25.2781
6319.525
500
¥22.6678
11333.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.7 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
4.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SP000013520 SPB20N60C3ATMA1 SPB2N6C3XT
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,SPB20N60C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
800:¥8.1473
参考库存:2861
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 1W
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:16545
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥3.9211
10:¥2.6555
100:¥1.7854
500:¥1.4351
3,000:¥1.4351
参考库存:31860
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:16508
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45V
1:¥3.1527
10:¥2.0679
100:¥0.88366
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.51528
参考库存:19803
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