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晶体管
CSD13202Q2参考图片

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CSD13202Q2

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm
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库存：27,748(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3787
33.787
100
¥2.0566
205.66
1,000
¥1.582
1582
3,000
¥1.356
4068
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
9.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
580 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
5.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD13202Q2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
28 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，CSD13202Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDS4470
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.0738
2,500:¥5.4579
5,000:查看
参考库存:8397
2N5643
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:4422
FGAF40N60UFTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 40A/600V/ IGBT
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
1,000:¥10.7576
参考库存:5063
BSP89,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH DMOS 240V 375MA
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:11964
IRLIZ34GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.063
100:¥13.221
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
参考库存:5553
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