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晶体管
SISS42DN-T1-GE3参考图片

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SISS42DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.684
768.4
500
¥6.7348
3367.4
3,000
¥5.198
15594
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8S-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
40.5 A
Rds On-漏源导通电阻
14.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
6 ns, 7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns, 7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns, 21 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 15 ns
商品其它信息
优势价格，SISS42DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJD44H11T4G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 20W NPN
1:¥4.6895
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:21418
MMBF4393LT1G
ON Semiconductor
晶体管
JFET 30V 10mA
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:110064
STU7NF25
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 250V 0.29Ohm 8A STripFET II
1:¥15.2098
10:¥12.9046
100:¥10.2943
500:¥9.0626
参考库存:7355
2N3734
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥69.0769
10:¥68.5458
25:¥62.3986
100:¥56.3192
参考库存:4813
FJT44KTF
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/500V
1:¥3.4578
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
2,500:¥1.13
参考库存:12876
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