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晶体管
A3T21H360W23SR6参考图片

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A3T21H360W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H360W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存：29,702(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥894.1125
894.1125
5
¥877.671
4388.355
10
¥838.1662
8381.662
25
¥810.1987
20254.9675
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.4 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
16.4 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935354511128
单位重量
6.029 g
商品其它信息
优势价格，A3T21H360W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3501L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥159.8272
250:¥146.6853
500:¥139.6228
参考库存:41475
2N930A/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥100.7395
200:¥91.8238
500:¥85.9026
1,000:¥78.8401
参考库存:41478
2N6989U
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥388.042
250:¥355.4641
参考库存:41481
ALD210814PCL
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MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥35.3464
100:¥33.1203
250:¥29.8885
500:¥26.8149
参考库存:41484
STL24NM60N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.200 Ohm 16 A HV Mdmesh II
1:¥34.0356
10:¥28.9732
100:¥25.0521
250:¥23.8204
3,000:¥17.1308
参考库存:6622
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