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晶体管
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FF1400R12IP4

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数量单价合计
1
¥5,109.0916
5109.0916
5
¥5,027.4152
25137.076
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
1400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
7.65 kW
封装 / 箱体
PRIME3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
250 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FF1400R12IP4BOSA1 SP000609758
商品其它信息
优势价格,FF1400R12IP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥92.8973
250:¥84.6822
500:¥79.2243
1,000:¥72.6929
参考库存:37517
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥173.8844
250:¥159.6012
500:¥151.9172
参考库存:37520
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥105.3499
250:¥96.05
500:¥89.8237
1,000:¥82.377
参考库存:37526
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.599
5,000:¥2.3617
10,000:¥2.1583
25,000:¥2.1244
参考库存:37529
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:3167
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