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晶体管
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FF1400R12IP4

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数量单价合计
1
¥5,109.0916
5109.0916
5
¥5,027.4152
25137.076
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
1400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
7.65 kW
封装 / 箱体
PRIME3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
250 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FF1400R12IP4BOSA1 SP000609758
商品其它信息
优势价格,FF1400R12IP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
2,500:¥5.8195
5,000:查看
参考库存:1896
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 2.2kO Input Resist
1:¥1.7628
10:¥1.1752
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:10717
晶体管
MOSFET T4S PCH 20/8V IN 1.6X1.6
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
3,000:¥2.5538
9,000:查看
参考库存:4829
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
1:¥36.1148
10:¥30.736
100:¥26.5889
250:¥25.2781
1,000:¥19.0518
2,000:查看
参考库存:2794
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.3A VDSS=60V
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:20293
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