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晶体管
IPD33CN10NGATMA1参考图片

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IPD33CN10NGATMA1

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库存:5,700(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.4862
64.862
100
¥4.9833
498.33
500
¥4.407
2203.5
2,500
¥3.0849
7712.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
58 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 2
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
G IPD33CN10N SP001127812
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD33CN10NGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PFET TSOP6 30V 4.7A 60MOH
1:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8307
3,000:¥2.6781
9,000:查看
参考库存:5520
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥7.1416
10:¥6.1359
100:¥4.7121
500:¥4.1697
5,000:¥2.9154
10,000:查看
参考库存:6883
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
1,000:¥6.3054
3,000:¥6.3054
参考库存:7435
晶体管
MOSFET SupreMOS 13A
1:¥24.3628
10:¥20.6677
100:¥17.8992
250:¥16.9839
参考库存:3455
晶体管
MOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:7700
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