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晶体管
SQJB40EP-T1_GE3参考图片

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SQJB40EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
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库存:15,031(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.3733
83.733
100
¥6.8817
688.17
500
¥5.3788
2689.4
3,000
¥3.8985
11695.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC, 35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
48 S, 48 S
下降时间
15 ns, 15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns, 20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns, 18 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJB40EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥89.5977
10:¥80.9871
25:¥77.2242
100:¥67.0768
参考库存:30190
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -45Vceo
2,500:¥1.00683
参考库存:30193
晶体管
MOSFET
1,000:¥21.5152
2,000:¥20.4417
参考库存:30196
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥34.1147
10:¥29.041
100:¥25.1312
250:¥23.8204
参考库存:4872
晶体管
MOSFET T6 40V S08FL
5,000:¥3.2318
10,000:¥3.1075
25,000:¥3.0171
参考库存:30201
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