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晶体管
BD679A参考图片

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BD679A

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN General Purpose
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库存:6,278(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.2997
5.2997
10
¥4.4522
44.522
100
¥2.8702
287.02
1,000
¥2.3052
2305.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
SOT-32
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD679A
封装
Tube
高度
10.8 mm
长度
7.8 mm
宽度
2.7 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BD679A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3849
晶体管
MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.8421
10:¥4.859
100:¥3.1301
1,000:¥2.5086
2,500:¥2.2487
参考库存:12436
晶体管
MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
2,500:¥2.6442
10,000:查看
参考库存:8693
晶体管
MOSFET N-CHAN 40V 100A
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.6106
500:¥7.4806
参考库存:7090
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V/60V/80V 1A NPN medium power trans
1:¥3.0736
10:¥2.1244
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.63732
参考库存:19564
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