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晶体管
STW3N150参考图片

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STW3N150

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
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库存:3,931(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.4364
27.4364
10
¥23.278
232.78
100
¥20.2044
2020.44
250
¥19.1309
4782.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
1.5 kV
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
9 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
29.3 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerMESH
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW3N150
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.6 S
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW3N150的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥3.7855
5,000:¥3.4465
10,000:¥3.1527
25,000:¥3.0962
参考库存:40722
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥336.5592
参考库存:40725
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥7.0173
2,500:¥4.9155
10,000:查看
参考库存:40728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥112.5706
250:¥102.6605
500:¥95.9709
1,000:¥88.0609
参考库存:40731
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,146.5319
参考库存:40734
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