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晶体管
APT75GP120J参考图片

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APT75GP120J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥312.7388
312.7388
2
¥304.2073
608.4146
5
¥295.834
1479.17
10
¥287.3816
2873.816
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
在25 C的连续集电极电流
128 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
543 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT75GP120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal FET 1.2A 20V 0.53Ohm
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:43693
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:43696
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:43699
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥43.7988
10:¥39.1093
25:¥35.1882
50:¥33.6514
参考库存:43702
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,35mW PNP Transistor
1:¥1.695
10:¥1.5368
100:¥1.00683
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.27685
参考库存:43705
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