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晶体管
SI3590DV-T1-GE3参考图片

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SI3590DV-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
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库存:10,923(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.6387
56.387
100
¥4.2827
428.27
500
¥3.5369
1768.45
1,000
¥2.825
2825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3 A, 2 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms, 170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
4.5 nC, 6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.15 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI3
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
10 S, 5 S
下降时间
7 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 20 ns
典型接通延迟时间
5 ns, 5 ns
零件号别名
SI3590DV-GE3
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,SI3590DV-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, DPAK
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1642
参考库存:6694
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.8476
10:¥1.8193
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:17941
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.1697
500:¥3.4465
参考库存:17944
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:17947
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥56.3192
10:¥50.2511
100:¥41.1885
250:¥33.3463
500:¥30.736
参考库存:4250
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