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晶体管
RSD200N05TL参考图片

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RSD200N05TL

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
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库存:30,688(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥2.7459
6864.75
10,000
¥2.6442
26442
25,000
¥2.5538
63845
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
RSD200N05
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
RSD200N05
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,RSD200N05TL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2885
参考库存:3758
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1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.96841
250:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:5454
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1:¥40.567
10:¥33.5836
100:¥27.6624
250:¥26.8149
参考库存:3273
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1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:3780
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:9280
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