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晶体管

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APTGT200SK120G

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:30,708(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥789.6892
78968.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
280 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
890 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT200SK120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,155.2103
5:¥1,127.401
10:¥1,099.4222
25:¥1,084.0542
参考库存:1551
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 33A 19MOHM
1:¥6.3732
10:¥5.2771
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
参考库存:3913
晶体管
MOSFET IFX OPTIMOS
1:¥44.4881
10:¥37.8098
100:¥32.7361
250:¥31.0411
参考库存:1866
晶体管
MOSFET T6 60V LL DPAK
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2037
500:¥5.4805
2,500:¥3.8307
10,000:查看
参考库存:3584
晶体管
MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified
1:¥4.9155
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.7854
参考库存:10850
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