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晶体管
HGT1S20N60C3S9A参考图片

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HGT1S20N60C3S9A

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库存:30,696(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥15.9104
12728.32
2,400
¥15.142
36340.8
4,800
¥14.5205
69698.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
164 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGT1S20N60C3S
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
45 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,HGT1S20N60C3S9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-FREQUENCY TR
1:¥3.1527
10:¥2.6103
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:10091
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
1:¥122.0174
10:¥112.1864
25:¥107.4969
100:¥94.7392
参考库存:1873
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:2662
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V TR
1:¥6.7574
10:¥5.65
100:¥3.6386
1,000:¥2.9154
1,500:¥2.4634
参考库存:4427
晶体管
MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4521
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:5912
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