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晶体管
HGT1S20N60C3S9A参考图片

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HGT1S20N60C3S9A

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库存:30,696(价格仅供参考)
数量单价合计
800
¥15.9104
12728.32
2,400
¥15.142
36340.8
4,800
¥14.5205
69698.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
Pd-功率耗散
164 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGT1S20N60C3S
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
45 A
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,HGT1S20N60C3S9A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
3,000:¥4.3166
9,000:查看
参考库存:2600
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
1:¥615.4884
25:¥543.869
100:¥480.5551
200:¥451.7401
参考库存:2690
晶体管
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:2602
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥272.1718
5:¥258.5666
10:¥251.8092
25:¥231.3675
参考库存:2672
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington Transistor
1:¥1,919.5423
2:¥1,873.3592
5:¥1,846.0019
10:¥1,819.7972
参考库存:2603
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