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晶体管
PTVA082407NF-V1-R5参考图片

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PTVA082407NF-V1-R5

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
500
¥548.8636
274431.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
105 V
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
增益
22.5 dB
输出功率
240 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HBSOF-4-1
封装
Reel
工作频率
746 MHz to 821 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTVA082407NF-V1-R5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 80V PNP
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:88471
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥645.456
10:¥630.088
25:¥614.72
50:¥583.984
参考库存:3865
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,000:¥1.7176
参考库存:4406
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,500:¥1.2995
参考库存:9314
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
参考库存:9697
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