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晶体管
STLD200N4F6AG参考图片

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STLD200N4F6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.27 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 dual side cooling package
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数量单价合计
1
¥19.9784
19.9784
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.6052
1360.52
500
¥11.9102
5955.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
172 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
158 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STLD200N4F6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
410 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
440 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
600 ns
典型接通延迟时间
150 ns
商品其它信息
优势价格,STLD200N4F6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥10.2943
100:¥8.9948
250:¥7.9891
2,500:¥5.3788
5,000:查看
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250:¥90.5921
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1,000:¥75.6083
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥69.156
10:¥62.3195
25:¥56.7825
100:¥51.2568
200:¥47.0984
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥168.7429
250:¥154.8326
500:¥147.3746
参考库存:39892
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