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晶体管
STW50N65DM2AG参考图片

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STW50N65DM2AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:2,286(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.093
52.093
10
¥47.0984
470.984
25
¥44.9514
1123.785
100
¥39.0302
3903.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
87 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
70 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
高度
5.15 mm
长度
20.15 mm
产品
Power MOSFET
系列
STW50N65DM2AG
晶体管类型
1 N-Channel
类型
High Voltage
宽度
15.75 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
22.5 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW50N65DM2AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:22178
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥410.4047
5:¥401.3308
10:¥382.9683
25:¥366.911
参考库存:1658
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V
1:¥2,439.3649
5:¥2,401.8602
10:¥2,366.1296
25:¥2,315.031
参考库存:22183
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥25.6623
10:¥21.2892
100:¥17.515
250:¥16.9839
500:¥15.2098
参考库存:22186
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.7686
25:¥4.0002
100:¥3.616
250:¥3.39
2,000:¥3.39
参考库存:22189
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