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晶体管
IPA65R045C7参考图片

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IPA65R045C7

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库存:3,075(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.298
84.298
10
¥77.5293
775.293
25
¥74.3088
1857.72
100
¥65.4722
6547.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
93 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
82 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
IPA65R045C7XKSA1 SP001080092
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPA65R045C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -400V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:6205
晶体管
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0625
2,000:¥5.4466
4,000:查看
参考库存:6576
晶体管
IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
1:¥35.2673
10:¥29.9676
100:¥25.9674
250:¥24.6679
500:¥22.1254
参考库存:4622
晶体管
MOSFET Nch 250V 4A TO-252 (DPAK)
1:¥8.2942
10:¥7.0625
100:¥5.424
500:¥4.7912
2,500:¥4.7912
参考库存:6799
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥7.1416
10:¥5.6952
100:¥4.3166
500:¥3.5708
1,000:¥2.8589
3,000:¥2.5877
参考库存:7291
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