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晶体管
IGT60R070D1ATMA1参考图片

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IGT60R070D1ATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
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库存:4,836(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥171.5792
171.5792
5
¥169.8164
849.082
10
¥158.2904
1582.904
25
¥151.2166
3780.415
2,000
¥106.7285
213457
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
0.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
5.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolGaN
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001300364
商品其它信息
优势价格,IGT60R070D1ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
800:¥7.2433
参考库存:8662
晶体管
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
1:¥28.8941
10:¥24.5097
100:¥21.2892
250:¥20.2044
参考库存:4876
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥21.131
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:5845
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:36003
晶体管
MOSFET 240V 0.2A 0.36W 4.0ohms @ 10V
1:¥7.9891
10:¥7.006
100:¥5.4014
500:¥4.0002
1,000:¥3.1979
3,000:¥2.8137
参考库存:6720
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