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晶体管
FGH75T65SHDT-F155参考图片

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FGH75T65SHDT-F155

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库存:2,329(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥53.7089
53.7089
10
¥48.5674
485.674
25
¥46.2622
1156.555
100
¥40.1828
4018.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
455 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH75T65SHDT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH75T65SHDT_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH75T65SHDT-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal FET 1.2A 20V 0.53Ohm
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.3334
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
参考库存:43693
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:43696
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.88366
10,000:¥0.82942
参考库存:43699
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥43.7988
10:¥39.1093
25:¥35.1882
50:¥33.6514
参考库存:43702
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,35mW PNP Transistor
1:¥1.695
10:¥1.5368
100:¥1.00683
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.27685
参考库存:43705
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