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晶体管
FF300R12KT3P_E参考图片

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FF300R12KT3P_E

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数量单价合计
1
¥1,155.2103
1155.2103
5
¥1,127.401
5637.005
10
¥1,099.4222
10994.222
25
¥1,084.0542
27101.355
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
-
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT3PEHOSA1 SP001361984
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF300R12KT3P_E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50Vcbo 45Vceo 6.0Vebo 200mA
1:¥13.5261
10:¥12.0684
100:¥9.605
500:¥8.4524
参考库存:4635
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:4495
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥8.4524
10:¥7.5258
100:¥5.9438
500:¥4.6104
1,000:¥3.6386
2,000:¥3.2996
参考库存:15198
晶体管
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1:¥3.3787
10:¥2.599
100:¥1.4125
1,000:¥1.05994
3,000:¥0.91417
9,000:¥0.85315
参考库存:22562
晶体管
JFET TAPE7 FET-RFSS
1:¥4.0002
10:¥3.5482
25:¥3.2092
100:¥2.8024
3,000:¥1.5255
6,000:查看
参考库存:12857
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