您好!欢迎来到宝华芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
FF300R12KT3P_E参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

FF300R12KT3P_E

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:1,551(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,155.2103
1155.2103
5
¥1,127.401
5637.005
10
¥1,099.4222
10994.222
25
¥1,084.0542
27101.355
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
-
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT3PEHOSA1 SP001361984
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF300R12KT3P_E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30V 100mA
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:11220
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 300A
1:¥972.6362
5:¥953.5053
10:¥909.0963
25:¥889.9654
参考库存:15275
晶体管
MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
1:¥8.3733
10:¥7.0964
100:¥5.4579
500:¥4.8251
2,500:¥3.3787
10,000:查看
参考库存:3332
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER
1:¥3.616
10:¥2.7459
100:¥1.4916
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.9605
9,000:¥0.89948
参考库存:11516
晶体管
MOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC
1:¥24.1255
10:¥20.5208
100:¥17.7523
250:¥16.8257
500:¥15.142
参考库存:3916
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市毅创辉电子科技有限公司

电话:0755-82813018

手机:19129911934

传真:0755-83267787

Email: Ruby@yichuanghui.com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北路宝华大厦A座2028


微信联系我们

QQ二维码

Copyright © 2010-2020 深圳市毅创辉电子科技有限公司 粤ICP备12090764号

24小时在线客服
热线电话

0755-82813018

微信联系我们 微信扫码联系我们