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晶体管
FF300R12KT3P_E参考图片

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FF300R12KT3P_E

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数量单价合计
1
¥1,155.2103
1155.2103
5
¥1,127.401
5637.005
10
¥1,099.4222
10994.222
25
¥1,084.0542
27101.355
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
-
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
8
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R12KT3PEHOSA1 SP001361984
单位重量
340 g
商品其它信息
优势价格,FF300R12KT3P_E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1,000:¥2.1922
2,500:¥2.1922
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1:¥4.8364
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2,500:¥1.09158
参考库存:7218
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